環(huán)槽式碳化硅（Ring-Groove SiC）晶圓卡盤是面向高溫、高功率制程與極限重復(fù)性需求的一種工程化夾持方案。采用碳化硅材料并在接觸面設(shè)計(jì)環(huán)形槽道，可同時(shí)解決熱管理、受力均勻性和顆粒污染三大痛點(diǎn)，提高良率與設(shè)備穩(wěn)定性。 材料與優(yōu)勢(shì) 碳化硅（SiC）兼具高熱導(dǎo)、低熱